Основы физики полупроводников и электроники

все курсы

Курс находится на модерации. Данные могут быть неактуальны.

3.3

9 недель, от 2 до 6 часов в неделю

Тип обучения

Курс

Зач. единицы

Сертификат

1 800 ₽ для получения

Стоимость курса

бесплатно

нет рассрочки

Глубокое понимание аналоговой и цифровой схемотехники базируется на хорошем знании физических принципов работы биполярных и полевых транзисторов. В данном курсе рассматриваются аспекты физики современных полупроводниковых приборов, непосредственно связанные с вопросами разработки электронных схем на транзисторном уровне, а так же даются основы аналоговой и цифровой схемотехники, позволяющие заложить базу для изучения курсов по приборостроению и разработке изделий электронной техники.

Вас будут обучать

Бакеренков Александр Сергеевич

курсов

Кандидат технических наук Должность: Доцент отделения нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике офиса образовательных программ НИЯУ МИФИ

Образование В 2010 году окончил НИЯУ МИФИ по специальности «Электроника и автоматика физических установок», получив квалификацию «Инженер-физик».

Образовательная организация

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"

0 отзывов

НИЯУ МИФИ – один из лучших национальных университетов, осуществляющих подготовку элитных специалистов для атомной сферы, науки, ИТ и других высокотехнологичных секторов экономики России.

Миссия университета - генерация, распространение, применение и сохранение научных знаний в интересах решения глобальных проблем XXI века.

НИЯУ МИФИ – признанный лидер в прорывных направлениях:

- ядерные исследования и технологии;

- лазерные, плазменные и пучковые технологии;

- СВЧ-наноэлектроника;

- нанобиотехнологии, биомедицина и медицинская физика;

- информационные технологии.

Университет развивает перспективные направления:

- космические исследования и технологии;

- управляемый термоядерный синтез;

- материалы для ядерного и космического применения.

Уникальные преимущества образования в НИЯУ МИФИ:

- Уникальные образовательные программы, ориентированные на профессии будущего и перспективные научные направления

- Обучение в сотрудничестве с ведущими мировыми корпорациями и крупными научными центрами мира

- Собственные современные уникальные экспериментальные установки и центры

- Стажировки студентов в ведущих научных центрах и лабораториях мира, участие в международных научноисследовательских и инновационных проектах, экспериментах Mega science. Среди них ATLAS, ALIСE, CMS в CERN; FAIR, XFEL в DESY (Германия); ITER (Франция); ICECUBE, PAMELA (Италия); STAR и PHENIX (США); T2K (Япония).

- Модульность, междисциплинарность и индивидуализация обучения

- Соответствие образовательных программ международным стандартам инженерного образования

Открытое образование

3.7

31 отзыв

Новый элемент системы российского образования — открытые онлайн-курсы — cможет перезачесть любой университет. Мы делаем это реальной практикой, расширяя границы образования для каждого студента. Полный набор курсов от ведущих университетов. Мы ведём системную работу по созданию курсов для базовой части всех направлений подготовки, обеспечивая удобное и выгодное для любого университета встраивание курса в свои образовательные программы
«Открытое образование» – это образовательная платформа, предлагающая массовые онлайн-курсы ведущих российских вузов, которые объединили свои усилия, чтобы предоставить возможность каждому получить качественное высшее образование.

Любой пользователь может совершенно бесплатно и в любое время проходить курсы от ведущих университетов России, а студенты российских вузов смогут засчитать результаты обучения в своем университете.

Программа курса

Модуль 1. Введение. Принцип работы биполярного транзистора.

Модуль 2. Граничные условия Шокли. Неосновные носители заряда в области базы биполярного транзистора.

Модуль 3. Ток коллектора биполярного транзистора. Ток базы биполярного транзистора. Вольтамперные характеристики биполярного транзистора.

Модуль 4. Графический метод анализа транзисторных схем. Приближенный метод анализа транзисторных схем. Биполярный транзистор в режиме насыщения. Дифференциальный метод анализа транзисторных схем.

Модуль 5. Электрофизические свойства структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Транзисторы на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник.

Неделя 6. Логические схемы на полевых МОП-транзисторах. Передача данных и комбинационные логические схемы. Устройства памяти и последовательные логические схемы на основе триггеров.