Модуль 1. Базовые механизмы формирования радиационных эффектов в полупроводниковых приборах (ПП) и интегральных схемах (ИС). (8 ак. ч.)
Лекция 1. Ионизирующие излучения ядерного взрыва, космического пространства, ядерных энергетических установок и аварий типа LОСА на атомных электростанциях. Состав, амплитудно-временные и спектрально-энергетические характеристики излучений.
Лекция 2. Классификация радиационных эффектов в материалах, полупроводниковых приборах и ИС. Образование первичных и вторичных структурных дефектов в полупроводниковых материалах под действием излучений, приводящих к изменению свойств полупроводниковых материалов и деградации основных параметров полупроводниковых приборов и ИС.
Лекция 3. Поверхностные и объемные ионизационные эффекты в изолирующих окислах и КМОП-структурах. Проблема возникновения токов утечки под толстым изолирующим окислом. Устойчивость сложных микропроцессорных схем к полной накопленной дозе. Эффект низкой интенсивности в биполярных микросхемах, предложения по решению проблемы прогнозирования биполярных и БиКМОП микросхем на этот эффект.
Лекция 4. Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС при воздействии импульсного ИИ. Переходные процессы в полупроводниковых приборах и ИС, инициированные излучением, их зависимость от электрофизических характеристик полупроводниковых материалов и конструкции приборов.
Лекция 5. Влияние спектрально-энергетических и амплитудно-временных характеристик импульсных излучений на длительность переходных процессов. Проблемы учета этого влияния при радиационных испытаниях. Требования стандартов и потенциальные возможности экспериментального моделирования. Зарубежный подход к учету влияния длительности импульса ИИ на стойкость ПП и ИС.
Лекция 6. Специфика ИИ КП. Вероятностный характер воздействия ИИ КП. Одиночные события (ОС) как проявление радиационных эффектов в изделиях электронной техники (ИЭТ) в условиях воздействия ИИ КП. Классификация одиночных событий (SEU, SET, SEB, SEGR и т.д.). Физические причины их возникновения и особенности проявления в различных классах ИЭТ.
Лекция 7. Влияние технологии изготовления изделий, вида, энергии и линейных потерь энергии ИИ на вероятность появления ОС. Методы моделирования ОС в лабораторных условиях. Расчетно-экспериментальные методы оценок интенсивности возникновения ОС в ИЭТ и РЭА на борту космических аппаратов.
Лекция 8. Уровень бессбойной работы – один из основных показателей радиационной стойкости ИЭТ. Методы определения УБР по результатам испытаний на МУ.Вероятностные оценки УБР по непрерывно изменяющимся параметрам (ток потребления) и пороговым сбоям (тиристорный эффект).
Лекция 9. Зависимость УБР от формы импульса ИИ. Методы приведения УБР, определенных при испытаниях на МУ, к типовой или заданной форме импульса ИИ. Проблема обеспечения сопоставимости результатов испытаний на различных МУ.
Модуль 2. Методические основы радиационных испытаний (8 ак. ч.)
Лекция 10. Методология подтверждения показателей радиационной стойкости ЭКБ. Концепция моделирования радиационных эффектов. Моделирующие установки (МУ), имитирующие установки (ИУ). Технические средства радиационных испытаний ЭКБ.
Лекция 11. Высокопроизводительные источники (ВИ) электронного и рентгеновского излучений типа «Аргумент», «АРСА», «МИРА» и др. Технические характеристики МУ. Методы регистрации полей нагружения. Расчет норм испытаний. Особенности совместного использования ИУ, ВИ и МУ для проведения радиационных испытаний ИС и ПП. Примеры из практики испытаний.
Лекция 12. Типы ИУ, используемые в практике радиационных испытаний ЭНПО «СПЭЛС» - импульсные лазерные имитаторы «Радон-5» и «Радон-8» и рентгеновские имитаторы «РЕИС-ИМ» и «РЕИМ-2». Формирование эквивалентной поглощенной дозы в активных областях типовых ПП и ИС под действием лазерных излучений установок «Радон-5» и «Радон-8». Особенности проведения экспериментальных исследований на ИУ.
Лекция 13. Отечественная и зарубежная (США) нормативно-методическая база по обеспечению и подтверждению радиационной и электромагнитной стойкости аппаратуры. Основные нормативно-методические документы, регламентирующие порядок задания требований по радиационной и электромагнитной стойкости материалов, ЭРИ и аппаратуры и методы их подтверждения. Краткая характеристика и порядок применения.
Лекция 14. Этапы разработки РЭА и решаемые задачи по обеспечению стойкости. Программа обеспечения стойкости (ПОСТ) - как организационная основа работ по обеспечению стойкости РЭА. Требования к ПОСТ и содержание основных разделов ПОСТ.
Лекция 15. Авионика и радиационная обстановка в атмосфере. Высокоэнергетичные частицы в атмосфере и SEE (SEU, SET, SEB, SEGR и т.д.), характерные для современной и перспективной элементной базы авионики. Проблемные вопросы разработки бортового электронного оборудования летательных аппаратов с учетом SEE (одиночных событий).
Лекция 16. Специфика радиационной обстановки и методы оценки устойчивости элементной базы к воздействию атмосферной радиации. Содержание стандартов серии IEC 62396 (2012) для разработчиков бортового электронного оборудования, устойчивого к атмосферной радиации (состав и характеристики ИИ, методы обеспечения и подтверждения устойчивости авионики к атмосферной радиации, в том числе высоковольтной аппаратуры и аппаратуры с использованием высокоинтегрированной элементной базы).
Лекция 17. Обеспечение стойкости радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов с длительными сроками активного существования к воздействию заряженных частиц космического пространства. Расчет локальных радиационных условий, применение конструктивных методов защиты, проведение расчетной и экспериментальной оценки стойкости составных частей аппаратуры.
Лекция 18. Эффекты воздействия электромагнитных импульсов (ЭМИ) на аппаратуру, ПП и ИС. Источники и параметры ЭМИ. Формирование сигнала наводки в узлах и модулях аппаратуры. Основные эффекты, вызванные воздействием одиночных импульсов напряжения (ОИН) на ПП и ИС. Моделирование воздействия ОИН. Методы и средства экспериментального определения показателей импульсной электр
